4H-SiC中の転位のフォトルミネッセンス解析
dc.contributor.author | Hirano, Rii / 平野, 梨伊 | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-05-09T07:09:37Z | |
dc.date.available | 2014-05-09T07:09:37Z | |
dc.date.issued | 2011-03-23 | en_US |
dc.description | 博士(工学), 2012, 基礎理工学専攻 | en_US |
dc.identifier.uri | http://iroha.scitech.lib.keio.ac.jp:8080/sigma/handle/10721/2668 | |
dc.publisher | 慶應義塾大学理工学研究科 | en_US |
dc.subject | フォトルミネッセンス | ja |
dc.subject | シリコンカーバイド | ja |
dc.subject | 照射促進転移すべり効果 | ja |
dc.subject | Photoluminescence | en |
dc.subject | Silicon carbide | en |
dc.subject | Radiation-enhanced dislocation glide | en |
dc.title | 4H-SiC中の転位のフォトルミネッセンス解析 | en_US |
dc.type | 学位論文 | en_US |