Si(100)基板上リン化ホウ素の結晶構造と電気的特性

dc.contributor.author	Ino, Yuji / 伊野, 裕司	en_US
dc.date.accessioned	2014-05-09T07:09:39Z
dc.date.available	2014-05-09T07:09:39Z
dc.date.issued	2013-03-23	en_US
dc.description	博士（工学）, 2012, 総合デザイン工学専攻	en_US
dc.identifier.uri	http://iroha.scitech.lib.keio.ac.jp:8080/sigma/handle/10721/2679
dc.publisher	慶應義塾大学理工学研究科	en_US
dc.subject	リン化ホウ素	ja
dc.subject	ヘテロユピタキシー	ja
dc.subject	Ⅲ－Ⅴ化合物半導体	ja
dc.subject	boron phosphide	en
dc.subject	heteroepitaxy	en
dc.subject	Ⅲ－Ⅴ compound semiconductor	en
dc.subject	ohmic	en
dc.title	Si(100)基板上リン化ホウ素の結晶構造と電気的特性	en_US
dc.type	学位論文	en_US

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