SiO2コンタクトホールエッチングにおけるチャージング発生メカニズムの解析
| dc.contributor.advisor | 真壁, 利明 / 教授 | |
| dc.contributor.advisor | 辰巳, 哲也 / 客員准教授 | |
| dc.contributor.author | NAKANE, YASUAKI / 中根, 康彰 | |
| dc.date.accessioned | 2014-05-16T01:11:51Z | |
| dc.date.available | 2014-05-16T01:11:51Z | |
| dc.date.issued | 2011-03-23 | |
| dc.description | 修士（工学）, 2010, 総合デザイン工学専攻 | |
| dc.identifier.uri | /sigma_local/handle/10721/5217 | |
| dc.publisher | 慶應義塾大学理工学研究科 | |
| dc.subject | チャージング電圧 | ja |
| dc.subject | 2周波容量結合型プラズマ | ja |
| dc.subject | SiO2コンタクトホール | ja |
| dc.subject | Charging Voltage | en |
| dc.subject | Two-frequency Capacitively Coupled Plasma | en |
| dc.subject | SiO2 Contact Hole | en |
| dc.title | SiO2コンタクトホールエッチングにおけるチャージング発生メカニズムの解析 | |
| dc.title.alternative | Study of Charging Mechanism during Etching of SiO2 Contact Hole | |
| dc.type | 学位論文 |